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论文成果
[1] . Multi-wavelength emission from InGaN/GaN MQWs truncated pyramid grown on GaN dodecagonal pyramids template. CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2023.
[2] . Fabrication and repair of GaN nanorods by plasma etching with self-assembled nickel nanomasks. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2021.
[3] 徐庆君. Mg-acceptor activation mechanism and transport characteristics in highly Mg-doped AlGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy,. Chinese Physics B, 2020.
[4] Li, Zhen-Hua. Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN with low growth rates and their properties. Chinese Physics B, 31, 2022.
[5] Zhang, Shiying. A systematic study of silicon nanowires array fabricated through metal-assisted chemical etching. EPJ Applied Physics, 92, 2020.
[6] 刘磊. Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates. CRYSTENGCOMM, 24, 1840, 2022.
[7] 刘磊. Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates. CrystEngComm, 1840, 2022.
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徐庆君
应用研究员
性别:男
所在单位: 新一代半导体材料研究院
入职时间: 2020-11-01
所属院系: 新一代半导体材料集成攻关大平台
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
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